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  • 产品名称:中子sCMOS探测器

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简单介绍:
中子sCMOS探测器,PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF:ZnS:Ag闪烁体荧光屏,由极低中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体,并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。中子sCMOS探测器 快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究,也可用于研究反应堆设施。
详情介绍:
  • 中子sCMOS探测器

PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF:ZnS:Ag闪烁体荧光屏,由极低噪声、高灵敏度ICCD或sCMOS芯片读出。中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体,并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。衍射和小角散射应用使用26cm×20cm有效区域的高效闪烁体,并结合1306×1040分辨率的超低噪声ICCD相机,可实现单量子探测功能。通过将多个相机拼接在一起可以实现更大区域的探测。快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究,也可用于研究反应堆设施。

中子sCMOS探测器 主要特点:

  • 16-bit数字图像实时采集
  • 单中子等效读出噪声
  • 可达20000:1的高动态范围
  • 标准相机与计算机接口 
  • 芯片阵列可多路采集

 应用:

  •  中子成像/断层扫描
  •  中子衍射
  •  小角中子散射
  •  蛋白质晶体学
  •  中子反射


 技术指标:

参数

中子ICCD

中子sCMOS

闪烁体

LiF:ZnS:Ag

有效像元尺寸

200μm

105 μm

有效探测尺寸

20cm×26cm

43cm×43cm

帧速

0.6 fps

5 fps

动态范围

>10000:1

>20000:1

读出噪声

<3 e-

4e-

增益

>1000:1

N/A

门控宽度

<1 ms @ 1kHz

N/A

芯片制冷温度

-20 ℃

曝光时间(单帧)

*长可达30分钟

*长可达1分钟

相机接口

千兆以太网


Li-6荧光屏来自于scintacor

特征

物理性质

屏幕类型

ND

磷光体类型

混合颗粒

发光颜色

蓝色

峰值波长

450nm

衰减10%

3.5μs

余辉拖尾

低阶

X射线吸收

极低

紫外光吸收

宽带

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