国家知识产权局信息显示，苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“雪崩光电二极管及其制作方法”的专利，公开号CN121888705A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述雪崩光电二极管的衬底为半绝缘InP衬底，并且所述雪崩光电二极管的倍增层和电荷层为InAlAs/GaAsSb超晶格。本发明采用InAlAs/GaAsSb超晶格材料作为InP基雪崩光电二极管的倍增层，相对现有技术中的InP、InAlAs或者InAlAsSb倍增层，具有过剩噪声因子低，可用低成本的MOCVD生长等优点。
天眼查资料显示，苏州晶歌半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1355.6444万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶歌半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可12个。
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