金融界2025年7月7日消息，国家知识信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种InP基高失配的红外焦平面探测器及其制备方法和应用”的，公开号CN120264883A，申请日期为2025年03月红外探测 。
摘要显示，本发明公开了一种InP基高失配的红外焦平面探测器及其制备方法和应用，属于红外探测技术领域红外探测 。本发明提供的InP基高失配的红外焦平面探测器包括叠加设置的：InP衬底、AlInAs缓冲层、N型AlInAs接触层、GaInAs吸收层和AlInAs耗尽层；所述AlInAs耗尽层中进行了锌掺杂，且所述AlInAs耗尽层设有垂直所述AlInAs耗尽层的隔离槽；所述隔离槽中沉积有外延薄层。本发明提供的红外焦平面探测器，能够有效避免高失配结构红外焦平面探测器因锌的横向扩散导致的像素串联，并降低了器件的暗电流。本发明还提供了上述红外焦平面探测器的制备方法和应用。
天眼查资料显示，中山德华芯片技术有限公司，成立于2015年，位于中山市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业红外探测 。企业注册资本9432万人民币。通过天眼查大数据分析，中山德华芯片技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息12条，信息178条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界