武汉高芯科技申请非制冷红外探测器像素级封装结构及其制作方法,提高了吸气剂的吸气效果:红外探测

金融界2025年8月12日消息,国家知识信息显示,武汉高芯科技有限公司申请一项名为“一种非制冷红外探测器像素级封装结构及其制作方法”的,公开号CN120475790A,申请日期为2025年04月红外探测

摘要显示,本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种非制冷红外探测器像素级封装结构及其制作方法,包括读出电路以及设置于所述读出电路上的盖帽,所述盖帽与所述读出电路围设形成封装腔;所述封装腔内设置有MEMS面阵以及吸气剂围墙,所述吸气剂围墙环绕所述MEMS面阵的外围布置红外探测 。本发明为吸气剂开辟单独区域,将吸气剂围墙环绕MEMS面阵的外围布置,提高了吸气剂的吸气效果,确保面阵型像素级封装结构在后期使用过程中保持真空环境,并将吸气剂的制备工艺环节设计在了MEMS工艺的后道,避免了前道各项工艺对吸气剂产生的影响。

天眼查资料显示,武汉高芯科技有限公司,成立于2013年,位于武汉市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业红外探测 。企业注册资本33800万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉高芯科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目63次,财产线索方面有商标信息23条,信息390条,此外企业还拥有行政许可20个。

来源:金融界

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